WNM2024-3/TR属于单N通道,20V,3.9A,功率MOSFET,WNM2024是N沟道增强型MOSField效应晶体管。采用的挖沟技术和设计,以较低的门电荷提供优良的活性氧。本装置适用于DC-DC变换,电源开关和充电电路标准产品WNM2024是无铅和无卤素的增强技术YW24**高密度电池设计,适用于更高的直流电流较低的阈值电压。
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